具有内部隔片结构的金属镶嵌栅极场效应晶体管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种MOSFET，其包括：位于源极扩展区和漏极扩展区之间的沟道，位于所述沟道之上的介质层，在所述介质层的周边部分上形成的栅极隔片结构，和布置在所述介质层的周边部分上的栅极；所述栅极至少下部被所述栅极隔片结构的内表面围绕，并与之接触，并且所述栅极在底部基本上与所述沟道对准。一种形成所述MOSFET的方法，其包括：形成所述介质层，在空腔内部形成栅极隔片结构和栅极接触，所述空腔是通过去除牺牲栅极和牺牲隔片结构形成的。
基本信息
专利标题 ：
具有内部隔片结构的金属镶嵌栅极场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790742A
申请号 ：
CN200510119334.1
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
萨普莱蒂克·格哈赫塞恩·I·哈纳菲拉雅拉奥·杰米保罗·M·索洛蒙
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510119334.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
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法律状态
2009-01-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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