用于产生栅极叠层侧壁隔片的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种用于通过利用PECVD工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总k值在约3.0到约5.0之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可以是碳化硅、掺氧的碳化硅、掺氮的碳化硅、掺碳的氮化硅、掺氮的碳氧化硅或其组合。沉积在等离子体增强化学气相沉积室中执行，并且沉积温度小于450℃。这样产生的侧壁隔片提供了好的容性电阻以及优秀的结构稳定性和密封性。
基本信息
专利标题 ：
用于产生栅极叠层侧壁隔片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822330A
申请号 ：
CN200610000510.4
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蕾扎·阿嘎娃尼迈克尔·丘·宽夏立群尹康素
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
肖善强
优先权 ：
CN200610000510.4
主分类号 ：
H01L21/314
IPC分类号 ：
H01L21/314 H01L21/285 H01L21/336 C23C16/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
法律状态
2016-03-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101648906008
IPC(主分类) : H01L 21/314
专利号 : ZL2006100005104
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20150109
号牌文件序号 : 101648906008
IPC(主分类) : H01L 21/314
专利号 : ZL2006100005104
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20150109
2009-01-14 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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