通过利用穿过栅极介质电流的电化学处理的栅极叠层设计
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。
基本信息
专利标题 ：
通过利用穿过栅极介质电流的电化学处理的栅极叠层设计
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101111927A
申请号 ：
CN200580047267.5
公开（公告）日 ：
2008-01-23
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·M·韦雷肯V·巴斯克尔C·小卡布拉尔E·I·库珀H·德利吉安尼M·M·弗兰克R·詹米V·K·帕鲁丘里K·L·森格尔邵晓燕
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200580047267.5
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L29/745
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2013-01-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101389924417
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2005800472675
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20100203
终止日期 : 20111202
号牌文件序号 : 101389924417
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2005800472675
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20100203
终止日期 : 20111202
2010-02-03 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2008-01-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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