栅极结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种栅极结构,包含一有源区、一第一栅极介电层位于所述有源区上、遮蔽层位于所述第一栅极介电层上且分别位于所述栅极结构两侧的边缘部位、一第二栅极介电层共形地位于所述第一栅极介电层与所述遮蔽层上、一栅极导电层位于所述第二栅极介电层上,其中所述第二栅极介电层围绕所述栅极导电层、以及一氮化硅盖层位于所述栅极导电层上。本实用新型所提出具有特殊设计的栅极介电层,可以抑制GIDL问题,同时又不会引起其他不良的影响。
基本信息
专利标题 :
栅极结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021019538.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-05
授权号 :
CN212085009U
授权日 :
2020-12-04
发明人 :
张钦福林昭维朱家仪童宇诚
申请人 :
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 :
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 :
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 :
王宏婧
优先权 :
CN202021019538.4
主分类号 :
H01L29/423
IPC分类号 :
H01L29/423 H01L29/78 H01L21/28
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法律状态
2020-12-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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