沟槽式栅极结构IGBT

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摘要

本发明提供了一种沟槽式栅极结构IGBT。该沟槽式栅极结构IGBT包括衬底和多个IGBT元胞，各IGBT元胞包括栅极，衬底中具有多个第一沟槽单元和第二沟槽单元，各IGBT元胞的栅极一一对应设置在第一沟槽单元的沟槽中，至少相邻的第一沟槽单元通过第二沟槽单元连通，且第一沟槽单元和第二沟槽单元的沟槽中填充有栅极材料，位于第一沟槽单元中的栅极材料构成IGBT元胞的栅极。采用本发明的上述结构，不仅能够通过部分或全部去除位于衬底上方的栅极材料，以降低器件的寄生电容，还能够实现对各IGBT元胞之间距离的调整，进而使该沟槽式栅极结构IGBT能够具有优异的散热一致性，使该沟槽式栅极结构IGBT能够具有高功率密度。

基本信息

专利标题：

沟槽式栅极结构IGBT

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111162123A

申请号：

CN202010108349.2

公开（公告）日：

2020-05-15

申请日：

2020-02-21

授权号：

CN111162123B

授权日：

2022-04-22

发明人：

义夫

申请人：

丽晶美能（北京）电子技术有限公司

申请人地址：

北京市海淀区学院路30号一区方兴大厦1010B室

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

王晓玲

优先权：

CN202010108349.2

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/423 H01L29/06 H01L23/367