MOS管栅极保护结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种MOS管栅极保护结构，其中，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接，通过串接电感，避免高温下电路中的毛刺信号对MOS管进行误触发，并在电路中设置感应电动势吸收模块，对电感产生的感应电动势进行吸收，进一步避免误触发。采用本实用新型涉的MOS管栅极保护结构，具有结构简单，性能好的特点，能够很好地提高电路的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
MOS管栅极保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920859795.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-10
授权号 ：
CN209731202U
授权日 ：
2019-12-03
发明人 ：
曹骞吴敬玉王坤袁德方
申请人 ：
上海市共进通信技术有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区虹梅路1905号远中科研楼7楼
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN201920859795.X
主分类号 ：
H03K17/14
IPC分类号 ：
H03K17/14 H03K17/687
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法律状态
2019-12-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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