栅极叠层

专利权的终止

摘要

用来在半导体衬底(110)中限定源/漏区域的栅极叠层的结构和制造方法。所述方法包含：(a)在所述衬底(110)的顶部形成栅极电介质层(120)，(b)在所述栅极电介质层(120)顶部形成栅极多晶硅层(130)，(c)将n－型掺杂物质注入所述多晶硅层(130)的顶层(130a)，(d)刻蚀掉所述栅极多晶硅层(130)和所述栅极电介质层(120)的一些部分以便在衬底(110)上形成栅极叠层(132、134、122)，和(e)在存在携带氮的气体的条件下将所述栅极叠层(132、134、122)的侧壁热氧化。结果，无论掺杂浓度如何都在栅极叠层(132、134、122)的多晶硅材料中相同的深度形成了扩散阻挡层(170)。因此，栅极叠层的n－型掺杂区域(132)具有和栅极叠层(132、134、122)的未掺杂区域(134)相同的宽度。

基本信息

专利标题：

栅极叠层

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101032024A

申请号：

CN200580033385.0

公开（公告）日：

2007-09-05

申请日：

2005-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

戴尔·W.·马丁斯蒂芬·M.·尚克迈克尔·C.·特里普莱特德布拉赫·A.·图克

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜娟

优先权：

CN200580033385.0

主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/48 H01L21/336 H01L21/4763 H01L21/302 H01L21/469

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

法律状态

2019-09-24 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20110209
终止日期 : 20180930

2017-12-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/48
登记生效日 : 20171116
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-12-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/48
登记生效日 : 20171116
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2011-02-09 ：

授权

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2007-09-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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