基于栅极保护的级联电路及级联器件

授权

摘要

本发明揭示了一种基于栅极保护的级联电路及级联器件，所述级联电路包括高压耗尽型器件、低压增强型器件及低压耗尽型器件，所述高压耗尽型器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极，低压增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极，低压耗尽型器件包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第一源极与第二漏极电性连接，第一栅极与第二源极电性连接，第二栅极与第三源极和第三栅极电性连接，第一漏极作为级联电路的漏极，第二源极作为级联电路的源极，第三漏极作为级联电路的栅极。本发明能够大幅降低传统增强型器件的等效米勒电容，即使在栅极驱动电流因栅极保护单元而严重受限的情况下，仍然能够使器件满足实际应用中对器件开关速度的需求。

基本信息

专利标题：

基于栅极保护的级联电路及级联器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112382631A

申请号：

CN202011265289.1

公开（公告）日：

2021-02-19

申请日：

2020-11-12

授权号：

CN112382631B

授权日：

2022-04-01

发明人：

蒋胜柳永胜胡峰白强唐瑜陈辉于洁郑梦婕

申请人：

苏州英嘉通半导体有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室

代理机构：

苏州三英知识产权代理有限公司

代理人：

周仁青

优先权：

CN202011265289.1

主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L27/088