GGNMOS器件、多指GGNMOS器件及保护电路

授权

摘要

本实用新型公开一种GGNMOS器件，包括衬底；形成于衬底中的源极和漏极，源极包括第一、第二源极，漏极位于第一、第二源极之间；形成于衬底上的栅极，栅极包括第一、第二和第三栅极；第三栅极包括沿第一方向延伸的第一、第二部，沿第二方向延伸的第三、第四部，第三、四部均位于第一、二部之间且两端分别连接第一、第二部，以将第一、二部之间的区域限定为第一区域、第二区域、位于第一、第二区域之间的第三区域；第一栅极位于第一区域，第一栅极在衬底上的正投影部分或全部围绕第一源极的正投影；第二栅极位于第二区域，第二栅极在衬底上的正投影部分或全部围绕第二源极的正投影。本实用新型还提供多指GGNMOS器件及ESD保护电路。

基本信息

专利标题：

GGNMOS器件、多指GGNMOS器件及保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020091178.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-15

授权号：

CN211350658U

授权日：

2020-08-25

发明人：

陈萧静张薇储小玲朱恒宇

申请人：

北京锐达芯集成电路设计有限责任公司

申请人地址：

北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2192号

代理机构：

北京正理专利代理有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN202020091178.2

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/78 H01L27/088 H01L27/02