GGNMOS器件、多指GGNMOS器件及保护电路

授权

摘要

本实用新型公开一种GGNMOS器件，包括：衬底；形成于衬底中的源极和漏极；形成于衬底上的栅极；其中，源极包括第一源极和第二源极；漏极位于第一源极与第二源极之间；栅极包括第一栅极和第二栅极；第一栅极在衬底上的正投影围绕漏极在衬底上的正投影，第二栅极在衬底上的正投影围绕第一栅极在衬底上的正投影。本实用新型提供的GGNMOS器件，能够有效抑制常规双边结构的NMOS器件的辐射感生边缘寄生晶体管漏电效应，同时能够降低NMOS器件对单粒子闩锁效应的敏感性，因此能够很好地适应辐射环境并具有良好的抗静电能力。本实用新型还提供一种多指GGNMOS器件以及ESD保护电路。

基本信息

专利标题：

GGNMOS器件、多指GGNMOS器件及保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020091176.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-15

授权号：

CN211350664U

授权日：

2020-08-25

发明人：

陈萧静张薇储小玲朱恒宇

申请人：

北京锐达芯集成电路设计有限责任公司

申请人地址：

北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2192号

代理机构：

北京正理专利代理有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN202020091176.3

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/02