一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件
授权
摘要
本实用新型实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本实用新型在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指LDMOS‑SCR的鲁棒性。
基本信息
专利标题 ：
一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921941191.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN210489616U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
汪洋曹佩董鹏金湘亮李幸
申请人 ：
湖南静芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
代理机构 ：
深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
隆毅
优先权 ：
CN201921941191.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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