一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；第二N型深阱上有第一N阱，第三N型深阱上有第二N阱；第一N阱和第二N型深阱不等宽，第二N阱和第三N型深阱不等宽；第一P阱上有第一P+注入；第二P阱上有第二P+注入、第一N+注入和第一栅极；第三P阱上有第二栅极、第三栅极和第三P+注入、第二N+注入；第四P阱上有第四栅极和第四P+注入；第一栅极在第二P阱右侧，第二栅极和第三栅极分别在第三P阱左侧和右侧，第四栅极在第四P阱左侧；第一P阱、第二P阱与第四P阱中六个电极均连接在一起作为器件的阴极，第三P阱中四个电极均连接在一起作为器件的阳极。
基本信息
专利标题 ：
一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020986245.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-02
授权号 ：
CN212485325U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
董鹏魏伟鹏汪洋金湘亮李幸
申请人 ：
湖南静芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
代理机构 ：
深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
沈祖锋
优先权 ：
CN202020986245.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06 H01L21/332 H01L29/74 H01L29/747
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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