单向可控硅器件

授权

摘要

本实用新型公开一种单向可控硅器件，其通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板；阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度。本实用新型单向可控硅器件既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也能更长时间承受电流冲击，进一步提高了器件的使用寿命。

基本信息

专利标题：

单向可控硅器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021859249.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-31

授权号：

CN213278076U

授权日：

2021-05-25

发明人：

唐兴军王亚

申请人：

苏州兴锝电子有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN202021859249.5

主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/367 H01L29/74 H01L23/31 H01L23/48