一种可控硅器件
授权
摘要
本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底层的掺杂浓度情况下降低可控硅器件的关断时间，解决了现有的可控硅器件关断时间较长，应用在中高频的开关电路中时存在的关断异常的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种可控硅器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921815377.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
CN210575963U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
赖首雄张潘德蓝浩涛
申请人 ：
深圳市德芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田街坂田文化创意园Y1栋1楼12-13号212室
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张海燕
优先权 ：
CN201921815377.7
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/06 H01L29/08 H01L29/10
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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