一种可控硅器件
授权
摘要
本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在正面阳极发射区上设置深入至第一侧表面区域中的阳极隔离区，对可控硅器件的击穿电压进行调节，从而提升可控硅器件在高温环境下的击穿电压，解决了现有的可控硅器件在高温工作环境下的击穿电压较低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种可控硅器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921851170.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN210535671U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
赖首雄张潘德蓝浩涛
申请人 ：
深圳市德芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田街坂田文化创意园Y1栋1楼12-13号212室
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张海燕
优先权 ：
CN201921851170.5
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/06 H01L29/747
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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