双向可控硅器件

授权

摘要

本实用新型公开一种双向可控硅器件，其阳极电极位于陶瓷绝缘片与第一可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接，第一可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内；此阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度；位于陶瓷绝缘片上表面的第二可控硅芯片的阴极区与第二导电柱的上端电连接，所述阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱的下端电连接。本实用新型双向可控硅器件具有两个方向轮流导通、关断的特性，且便于热量扩散，也提高了器件的可靠性。

基本信息

专利标题：

双向可控硅器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021859277.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-31

授权号：

CN212810297U

授权日：

2021-03-26

发明人：

唐兴军王亚

申请人：

苏州兴锝电子有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN202021859277.7

主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L25/07 H01L29/747 H01L23/367 H01L23/48