一种双向可控硅静电防护器件
授权
摘要
本实用新型实施例提供一种双向可控硅静电防护器件，包括：P型衬底，P型衬底内设有第一P+注入区、N型埋层及第六P+注入区，N型埋层上方设有第一N型深阱、第一P阱、N阱、第二P阱及第二N型深阱，第一P阱内设有位置跨在第一N型深阱与第一P阱上的第二P+注入区、第一N+注入区及第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第二N+注入区及位置跨在第二P阱与第二N型深阱上的第五P+注入区；如此，该可控硅静电防护器件能基于标准CMOS工艺且片上集成，并且能够在不增加DDSCR器件面积的同时有效的提高DDSCR的维持电压，进而提高片上集成静电防护器件的鲁棒性。
基本信息
专利标题 ：
一种双向可控硅静电防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921799964.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-24
授权号 ：
CN211265471U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
汪洋周子杰董鹏金湘亮李幸
申请人 ：
湖南静芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
代理机构 ：
深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
隆毅
优先权 ：
CN201921799964.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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