一种低触发高维持可控硅静电防护器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种低触发高维持可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底上设有N型深阱；N型深阱中从左至右设有P阱和N阱；P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区；P阱和N阱之间设有第二N+注入区；N阱中从左至右设有第三N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区与第三N+注入区之间用导线串联一个电阻和N型MOS管，N型MOS管的衬底接地，N型MOS管的栅接ESD侦测电路。本实用新型通过外接电路，为寄生PNP三极管的基区提供触发电流，使得寄生PNP更易开启，则SCR泄放路径也更易开启；另外，re由侦测电路控制，不会导致器件正常工作时被误触发。
基本信息
专利标题 ：
一种低触发高维持可控硅静电防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920412794.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209461459U
授权日 ：
2019-10-01
发明人 ：
汪洋芦俊骆生辉董鹏金湘亮
申请人 ：
湖南静芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
代理机构 ：
湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
颜昌伟
优先权 ：
CN201920412794.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2019-10-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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