高维持电压单向可控硅静电保护器件

授权

摘要

本实用新型提供了一种高维持电压单向可控硅静电保护器件，包括：N型埋层、深N阱、浅N阱和浅P阱；所述深N阱为环形，所述N型埋层位于所述深N阱的下侧；所述浅P阱包括浅P阱环和多个浅P阱条，所述浅P阱环位于所述深N阱的外侧，所述多个浅P阱条位于所述深N阱的内侧；所述浅N阱包括多个浅N阱条，所述多个浅P阱条和所述多个浅N阱条之间一一间隔排列，且最外侧的两个所述浅N阱条分别位于所述深N阱中。本实用新型具有高失效电流、高维持电压和版图面积小等特点，能有效防止闩锁效应。能对I/O端口进行有效防护。

基本信息

专利标题：

高维持电压单向可控硅静电保护器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021099393.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-15

授权号：

CN212010968U

授权日：

2020-11-24

发明人：

茅寅松吴岩

申请人：

上海安导电子科技有限公司

申请人地址：

上海市奉贤区海湾镇五四支路171号14幢92室

代理机构：

上海段和段律师事务所

代理人：

李佳俊

优先权：

CN202021099393.3

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02