冗余触发单向可控硅电路
授权
摘要
本实用新型公开一种冗余触发单向可控硅电路，包括蓄电池组，该蓄电池组的正极端接入可控硅SCR1，经可控硅SCR1连接到触发电源的正极，可控硅SCR1还连接运算放大电路，预算放大电路连接至比较电路，比较电路连接到采样电路，采样电路连接到蓄电池组的A端和B端；可控硅SCR1连接运算放大电路后，经电阻R3、晶体管Q1及保险丝F1连接到触发电源的负极；所述晶体管Q1处并联设置有电阻R4，所述电阻R4与电阻R3及保险丝F1形成串联，所述晶体管Q1经过二极管D、可控硅SCR2、电阻R1及可控硅SCR1连接到触发电源的正极。通过采样电路和比较电路，在A端和B端电压在变频器保护电压+105V时，由晶体管Q1导通触发经可控硅SCR2导通可控硅SCR1；满足快速触发。
基本信息
专利标题 ：
冗余触发单向可控硅电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123262214.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
CN216625341U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
甘飞张博良
申请人 ：
济南万邦电子工程有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市历城区花园路168号融基大厦2301室
代理机构 ：
济南知来知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王乾
优先权 ：
CN202123262214.0
主分类号 ：
H02J7/00
IPC分类号 ：
H02J7/00 H03K17/72
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
