高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片

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摘要

本实用新型公开了一种高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N‑型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜。制造方法：生长氧化层、光刻对通隔离环、离子注入铝、对通隔离环扩散、双面P型短基区扩散、正面光刻发射区、N+发射区磷扩散、光刻隔离钝化槽及腐蚀、Sipos+Gpp钝化保护、光刻引线、双面蒸发电极、双面光刻反刻、真空合金、芯片测试、划片分离。本实用新型满足VDRM＞2200V，实现极高的正向阻断电压。

基本信息

专利标题：

高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920615765.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-30

授权号：

CN209708983U

授权日：

2019-11-29

发明人：

俞荣荣王成森朱法扬

申请人：

江苏捷捷微电子股份有限公司

申请人地址：

江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司

代理人：

卢海洋

优先权：

CN201920615765.4

主分类号：

H01L29/74

IPC分类号：

H01L29/74 H01L29/06 H01L21/335