一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅
授权
摘要
本实用新型涉及单向可控硅技术领域，且公开了一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅，包括门极电极G与阴极电极K，利用P型短基区扩散层的次表面层的高阻特性，将门极电极G与阴极电极K之间外接的1KΩ电阻集成到芯片本体的内部，形成横向扩散电阻RGK，当可控硅门极电极G与阴极电极K之间加电流IG时，在RGK上产生一个电压降VR，只有当VR大于等于P型短基区和N型长基区的门坎电压VO时，可控硅才会触发，克服了目前市场上的微触发单向可控硅温度特性差、IGT离散性大、维持电流高、开关速度低和VTM大等缺点，大大的提升了可控硅的性能，尤其是触发电流温度特性的高温特性得到了很大的改善。
基本信息
专利标题 ：
一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021980455.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212967712U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
魏广乾
申请人 ：
西安坤维电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市西安经济技术开发区泾渭新城西金路西段29号泾渭国际中心1幢1单元9层10902号
代理机构 ：
重庆嘉禾共聚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴迪
优先权 ：
CN202021980455.1
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/06
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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