可控硅芯片
授权
摘要
一种可控硅芯片，包括基区、第一注入区、第二注入区、第三注入区、所述第一注入区表面上的阳极电极A、第二注入区部分表面上的门极电极G以及第三注入区表面上的阴极电极K，其中，所述门极电极G与所述阴极电极K朝向相同，高度低于所述阴极电极K，且所述门极电极G上具有凹槽。由于凹槽的存在，保障了整体的门极电极G不会高于阴极电极K，使得门极电极G不会被轻易的磕碰损坏，当焊接引线之后，门极电极G上的引线也不容易被碰掉，更加牢固。并且凹槽为该可控硅芯片焊接时提供了一个引线定位槽，提高了可控硅芯片门极电极外部引线焊接的高效性和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
可控硅芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022433222.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN212907748U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
李晓锋黄富强
申请人 ：
浙江里阳半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省玉环市芦浦镇漩门工业区
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭燕
优先权 ：
CN202022433222.6
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/06 H01L29/417 H01L29/423
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法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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