本实用新型公开一种逆导可控硅，其陶瓷绝缘片开有第一通孔、第二通孔，此第一通孔、第二通孔内分别设置有一第一导电柱、第二导电柱；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接；二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与二极管芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱另一端电连接。本实用新型逆导可控硅大大提高了器件耐高压性能且关断时间短，也有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散。