逆导型IGBT
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种逆导型IGBT，在横向上IGBT的形成区域和FRD的形成区域互相邻接且隔离。在IGBT和FRD的形成区域中形成有漂移区和场截止层；在IGBT的形成区域中，在场截止层的背面形成有集电区。在FRD的形成区域中，在场截止层的背面形成有第一电极区。FRD的形成区域中形成有穿过漂移区的深沟槽。在深沟槽及漂移区表面形成有掺杂类型相反的第一和第二外延层，深沟槽中还填充有第三绝缘介质层。在漂移区上的第一和第二外延层表面形成有第二导电类型掺杂的阱区。本发明能实现IGBT和FRD的很好隔离，能抑制IGBT回扫，能同时实现对FRD的性能进行局域地优化，能改善FRD的注入效率和能控制FRD的少子寿命，还能优化终端区结构以及节省面积。
基本信息
专利标题 ：
逆导型IGBT
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464676A
申请号 ：
CN202210087607.2
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴小利王海军
申请人 ：
上海擎茂微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路555号2号楼2037
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202210087607.2
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L27/06
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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