逆导半导体可控硅
授权
摘要
本实用新型公开一种逆导半导体可控硅，其可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出；所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，所述环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔；所述二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与二极管芯片相背的表面。本实用新型逆导半导体可控硅有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，大大提高了器件耐高压性能且关断时间短。
基本信息
专利标题 ：
逆导半导体可控硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021861348.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN213212155U
授权日 ：
2021-05-14
发明人 ：
唐兴军王亚
申请人 ：
苏州兴锝电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202021861348.7
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-05-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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