低导通电阻MOSFET半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种低导通电阻MOSFET半导体器件，包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：N型掺杂外延层上部且位于中央区域两侧分别具有P型左基区和P型右基区，所述凸起部的上部具有一P型上基区，所述P型左基区和P型右基区各自上部分别具有重掺杂N型左源极区和重掺杂N型右源极区；一左栅极区、右栅极区分别位于凸起部的两侧；相邻P型左基区和P型右基区之间具有一N掺杂深阱部，此N掺杂深阱部的下端延伸至N型掺杂外延层的下部区域。本发明在同等反向电压的施加下，低了最高电场强度，使空间电荷层中的电场强度得到有效缓解，也降低了漏电流，进而使崩溃效应不容易产生。
基本信息
专利标题 ：
低导通电阻MOSFET半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123233004.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216698364U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW01幢506室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202123233004.9
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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