半导体电阻器和CMOS器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体电阻器和CMOS器件。该半导体电阻器包括衬底、多晶硅电阻层和金属硅化物层。多晶硅电阻层位于所述衬底上，所述多晶硅电阻层具有电阻负温度系数。金属硅化物层位于多晶硅电阻层的第一端和第二端中，所述金属硅化物层具有电阻正温度系数。其中所述金属硅化物层的有效电阻长度和所述多晶硅电阻层的有效电阻长度之比n1，和所述电阻正温度系数与所述电阻负温度系数的绝对值之比n2是成反比的。本实用新型的半导体电阻器具备良好的温度稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体电阻器和CMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920420354.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209963056U
授权日 ：
2020-01-17
发明人 ：
肖华鞠韶复薛磊钟灿王剑屏
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
骆希聪
优先权 ：
CN201920420354.X
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2020-01-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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