电压控制的半导体结构、电阻器
专利权的主动放弃
摘要
本实用新型提供一种电压控制的半导体结构、电压控制的电阻器。该半导体结构包含一基板、一第一掺杂阱及一第二掺杂阱。该基板掺杂一第一型离子。该第一掺杂阱具有一第二型离子，且形成于该基板中。该第二掺杂阱具有一第二型离子，且形成于该基板中。该第一型离子与该第二型离子是互补的。在该第一掺杂阱与该第二掺杂阱之间形成一电阻器。该电阻器的电阻率由一差动电压所控制。该电阻器的电阻率与该第一掺杂阱的一第一深度、该第二掺杂阱的一第二深度和及该第一掺杂阱与该第二掺杂阱之间的一距离相关。该电阻器的电阻率高于在具有该第二型离子的单一个掺杂阱中所形成的阱式电阻器的电阻率。
基本信息
专利标题 ：
电压控制的半导体结构、电阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620135593.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-10-16
授权号 ：
CN200983367Y
授权日 ：
2007-11-28
发明人 ：
蒋秋志黄志丰
申请人 ：
崇贸科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省231台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
任永武
优先权 ：
CN200620135593.3
主分类号 ：
H01L29/00
IPC分类号 ：
H01L29/00 H01L29/8605
法律状态
2009-09-16 ：
专利权的主动放弃
2007-11-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
