半导体电压控制变容器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开一种半导体电压控制变容器，属电压控制的用于振荡或转换的半导体器件，具有MINP(金属-绝缘体-N型半导体-P型半导体)四层结构，该器件的电容值随两端所加电压的变化作特殊的变化，因而用途广泛，如可完全替代现有的变容二极管：用于非线性振荡器，电压-频率变换器，有源滤波器、自动调谐、稳频器等电路中，也可作频域中的三值电路。本器件制作工艺一般，且与集成电路工艺相容，易于制得复合功能的集成块。
基本信息
专利标题 ：
半导体电压控制变容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87103188A
申请号 ：
CN87103188.4
公开（公告）日 ：
1988-11-09
申请日 ：
1987-04-29
授权号 ：
CN1005885B
授权日 ：
1989-11-22
发明人 ：
朱长纯刘君华
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁路28号
代理机构 ：
西安交通大学专利事务所
代理人 ：
徐文权
优先权 ：
CN87103188.4
主分类号 ：
H01L29/92
IPC分类号 ：
H01L29/92 H01L29/93
法律状态
1993-09-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-07-04 ：
授权
1989-11-22 ：
审定
1988-11-09 ：
公开
1988-08-03 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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