半导体光控变容器
专利权的终止
摘要
本发明公开一种半导体光控变容器，属半导体光电子器件，是一种由光源控制的对光辐射敏感的半导体器件，具MINP四层结构，是以其两端电压为参变量的其两端电容值随光强变化的器件。具有如下各方面用途：作为光敏可变电容二极管、变容式光控开关、光电耦合器、光控有源滤波器和光强一频率变换器等。本器件工艺一般，且与集成电路工艺相容，易于制得复合功能的集成块。
基本信息
专利标题 ：
半导体光控变容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87103187A
申请号 ：
CN87103187.6
公开（公告）日 ：
1988-02-03
申请日 ：
1987-04-29
授权号 ：
CN87103187B
授权日 ：
1988-09-21
发明人 ：
朱长纯刘君华
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁路28号
代理机构 ：
西安交通大学专利事务所
代理人 ：
徐文权
优先权 ：
CN87103187.6
主分类号 ：
H01G9/20
IPC分类号 ：
H01G9/20 H01L31/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G9/00
电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法
H01G9/20
光敏器件
法律状态
1990-09-12 ：
专利权的终止
1989-08-23 ：
授权
1988-09-21 ：
审定
1988-02-03 ：
公开
1988-01-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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