一种半导体器件及电容器
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体器件及电容器，所述半导体器件在SiC衬底上设置有HfO2基栅介质层，所述HfO2基栅介质层的厚度为10‑100nm。本实用新型中，在HfO2基栅介质层材料中掺杂Y2O3，可以有效降低SiC的界面态密度，提高栅介质层质量，同时解决了SiC半导体器件栅极漏电流大，耐压不足的问题，提高了SiC器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件及电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021405844.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-16
授权号 ：
CN212967711U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
艾育林裘三君
申请人 ：
深圳市瑞之辰科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区民治街道第五工业区上隆路先跑创业园1栋1楼B区厂房/3楼厂房
代理机构 ：
广东卓林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
岳帅
优先权 ：
CN202021405844.1
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 H01L29/423 H01L29/78 H01L23/64
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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