具有堆叠的去耦电容器的半导体器件
授权
摘要
本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件具有形成于堆叠结构的不同层上的晶体管，所述半导体器件包括堆叠型电容器簇，其中所述堆叠电容器簇的堆叠电容器包括所述半导体器件的晶体管的绝缘层，和布置在所述绝缘层上面和下面的至少第一导电层和第二导电层，其中所述堆叠电容器是在第一线和第二线之间并联连接的堆叠电容器簇的去耦电容器。
基本信息
专利标题 ：
具有堆叠的去耦电容器的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848436A
申请号 ：
CN200610068129.1
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁香子
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610068129.1
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L27/11
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2009-09-30 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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