具有堆叠器件的半导体装置及其制造方法
公开
摘要
本披露内容的各方面提供了一种包括多个结构的半导体装置。这些结构中的第一结构包括第一晶体管堆叠，该第一晶体管堆叠包括形成在衬底上的第一晶体管和沿着基本垂直于该半导体装置的衬底平面的Z方向堆叠在该第一晶体管上的第二晶体管。这些结构中的第一结构进一步包括局部互连结构。该第一晶体管夹在两个局部互连结构之间。这些结构中的第一结构进一步包括基本平行于Z方向的垂直导电结构。这些垂直导电结构被配置为通过与这些局部互连结构电耦合来至少为这些结构中的第一结构提供电源。这些垂直导电结构之一沿该Z方向的高度至少是这些结构中的第一结构的高度。
基本信息
专利标题 ：
具有堆叠器件的半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586149A
申请号 ：
CN202080073455.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉尔斯·利布曼杰弗里·史密斯安东·德维利耶
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王伟楠
优先权 ：
CN202080073455.X
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528 H01L25/065 H01L25/07 H01L27/06 H01L27/088 H01L27/092 H01L21/768 H01L21/822 H01L21/8234 H01L21/8238 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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