混合多堆叠半导体器件及其制造方法
公开
摘要
提供一种混合多堆叠半导体器件及其制造方法。该混合多堆叠半导体器件包括纳米片堆叠和形成在纳米片堆叠之上的鳍式场效应晶体管(finFET)堆叠，其中纳米片堆叠包括形成在衬底之上并被第一栅极结构围绕的多个纳米片层，其中finFET堆叠包括被第二栅极结构围绕的至少一个鳍结构，其中所述至少一个鳍结构具有相对于纳米片堆叠的自对准形式，使得在所述至少一个鳍结构的最左侧表面与纳米片堆叠的左侧表面之间的左水平距离等于在所述至少一个鳍结构的最右侧表面与纳米片堆叠的右侧表面之间的右水平距离。
基本信息
专利标题 ：
混合多堆叠半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512481A
申请号 ：
CN202111202233.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋昇炫洪炳鹤
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王新华
优先权 ：
CN202111202233.6
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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