包括层叠电容器的半导体器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种形成在电容器孔内的层叠电容器包括下电极、电容器绝缘膜和上电极。下电极包括形成在下部绝缘膜上的多个岛、以及覆盖下部绝缘膜上的各岛的金属膜。下电极的较大表面增加了层叠电容器的电容。
基本信息
专利标题 ：
包括层叠电容器的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819209A
申请号 ：
CN200610051393.4
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
星野晶
申请人 ：
尔必达存储器株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙志湧
优先权 ：
CN200610051393.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2009-01-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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