半导体叠层电容器

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体叠层电容器相对于MIM电容器减少了一次掩膜工艺，从而大大降低了生产成本。

基本信息

专利标题：

半导体叠层电容器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101038911A

申请号：

CN200610024666.6

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2006-03-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

苏鼎杰何佳刘丕均郑敏祺

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN200610024666.6

主分类号：

H01L27/00

IPC分类号：

H01L27/00 H01L27/02 H01L27/06 H01L27/102 H01L27/108 H01L29/92

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

法律状态

2011-12-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101239706565
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利号 : ZL2006100246666
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111109

2009-03-11 ：

授权

2007-11-14 ：

实质审查的生效

2007-09-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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