半导体装置的制造方法、半导体装置、及叠层半导体装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种半导体装置的制造方法，包括：准备包括多个半导体元件部的半导体晶片，形成导电部的工序；在设置于所述半导体晶片能动面的元件区域外周的切断区域上，形成没有贯通所述半导体晶片的第一槽部的工序；使所述半导体晶片的厚度变薄的工序；其后，在所述第一槽部的相反侧的所述背面上，形成没有贯通至该第一槽部的第二槽部的工序；分割所述多个半导体元件部而形成多个半导体芯片的工序；在所述各半导体元件部上形成贯通电极的工序；通过从所述支撑体剥离所述半导体芯片，从而使所述多个半导体元件部单片化的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法、半导体装置、及叠层半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812075A
申请号 ：
CN200510133816.2
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
深泽元彦
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510133816.2
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2012-05-30 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101363332235
IPC(主分类) : H01L 21/78
专利号 : ZL2005101338162
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工爱普生株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120419
号牌文件序号 : 101363332235
IPC(主分类) : H01L 21/78
专利号 : ZL2005101338162
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工爱普生株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120419
2008-08-20 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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