具有多孔单晶层的半导体芯片及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供半导体芯片，其含有具有半导体器件区域和多孔单晶层的半导体衬底，其特征在于，所述半导体器件区域形成于所述半导体衬底的主表面部，所述多孔单晶层形成于所述半导体衬底背面的内部区域，且所述多孔单晶层包括从所述半导体衬底背面在所述半导体衬底的内部方向上连续的侵蚀孔、形成于所述侵蚀孔内部表面的氧化膜、及单晶部分。

基本信息

专利标题：

具有多孔单晶层的半导体芯片及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832196A

申请号：

CN200610054736.2

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-03-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

大汤静宪滨田耕治小此木坚祐三宅秀治神月靖渡边正晴

申请人：

尔必达存储器株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

王海川

优先权：

CN200610054736.2

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/3213 H01L21/30 H01L21/00

法律状态

2016-05-04 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101658400489
IPC(主分类) : H01L 29/06
专利号 : ZL2006100547362
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20150310

2013-05-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101590609137
IPC(主分类) : H01L 29/06
专利号 : ZL2006100547362
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器株式会社
变更后权利人 : 拉姆伯斯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20130423

2009-06-17 ：

授权

2007-01-17 ：

发明专利申请公布说明书更正

更正卷 : 22
号 : 37
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.12.14 JP 2005-361123

2006-11-08 ：

实质审查的生效

2006-09-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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