该半导体单晶制造装置具有坩锅、加热器、坩锅驱动装置、容纳所述坩锅和加热器的腔、以及向所述坩锅内供给混合有含有氢原子的含氢气体和惰性气体的混氢气体的混氢气体供给装置，所述混氢气体供给装置具备含氢气体供给机、惰性气体供给机、含氢气体流量控制器、惰性气体流量控制器、以及均匀混合含氢气体和惰性气体而生成混氢气体的气体混合装置。