半导体单晶制造装置
授权
摘要
该半导体单晶制造装置具有坩锅、加热器、坩锅驱动装置、容纳所述坩锅和加热器的腔、以及向所述坩锅内供给混合有含有氢原子的含氢气体和惰性气体的混氢气体的混氢气体供给装置，所述混氢气体供给装置具备含氢气体供给机、惰性气体供给机、含氢气体流量控制器、惰性气体流量控制器、以及混合含氢气体和惰性气体而生成并蓄积混氢气体的缓冲罐。
基本信息
专利标题 ：
半导体单晶制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101175874A
申请号 ：
CN200580049783.1
公开（公告）日 ：
2008-05-07
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杉村涉小野敏昭宝来正隆
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200580049783.1
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2011-01-19 ：
授权
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2008-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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