制造半导体单晶装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体单晶装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87101952A
申请号 ：
CN87101952.3
公开（公告）日 ：
1987-09-23
申请日 ：
1987-03-13
授权号 ：
CN1015649B
授权日 ：
1992-02-26
发明人 ：
神尾宽中冈一秀荒木健治村上胜彦风间彰堀江重豪
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN87101952.3
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
1994-01-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-11-18 ：
授权
1992-02-26 ：
审定
1989-09-06 ：
实质审查请求
1987-09-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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