半导体单晶合成坩锅
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摘要
本实用新型涉及冶炼设备技术领域,更具体的说是半导体单晶合成坩锅,可以自动清理坩埚的内壁与外壁。倾倒电机带动合成坩埚转动,将合成坩埚中的冶炼的熔化液倾倒出来,然后打开翻转油缸,翻转油缸顶起翻动连接板,使翻动连接板在垂直转动底座上转动,带动合成坩埚翻转起来,当合成坩埚内壁贴合在内壁清理毛刷上时,清理电机带动转动半圆板转动,转动半圆板带动内壁清理毛刷旋转,并对合成坩埚内壁进行清理,同时打开伸缩配合气缸,伸缩配合气缸带动电机安装架和旋转电机靠近合成坩埚,并使外壁贴合半圆板带动多个外壁清理刷贴合在合成坩埚的外壁上,旋转电机带动外壁贴合半圆板和多个外壁清理刷旋转,多个外壁清理刷将合成坩埚外壁进行清理。
基本信息
专利标题 :
半导体单晶合成坩锅
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020520598.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-10
授权号 :
CN211814720U
授权日 :
2020-10-30
发明人 :
董家海斯超波
申请人 :
浙江诺华陶瓷有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市东阳市巍山镇六怀工业功能区
代理机构 :
北京君恒知识产权代理有限公司
代理人 :
余威
优先权 :
CN202020520598.8
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00 B08B9/087
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-10-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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