半导体激光用单晶晶片
专利权的终止
摘要
提供通过光学式的定位方式提高以劈开面作为基准的调合掩模图形时的精度及可以实现提高工序合格率的半导体激光单晶晶片。提供一种半导体激光用单晶晶片，将由劈开形成取向平面的晶片的表面用高硬度的研磨布且在适当地按压晶片压力及研磨速率下，使晶片表面的中心部与外周部的研磨速率相同地研磨，从而使其成为具有劈开面上的棱线部的弧度变小的、小于等于40μm的取向平面部。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光用单晶晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819118A
申请号 ：
CN200510137806.6
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
井谷贤哉
申请人 ：
日立电线株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200510137806.6
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/463 H01S5/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2014-02-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101573761544
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL2005101378066
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20080625
终止日期 : 20121231
号牌文件序号 : 101573761544
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL2005101378066
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20080625
终止日期 : 20121231
2008-06-25 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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