一种半导体生产单晶炉
授权
摘要

本实用新型公开了一种半导体生产单晶炉,涉及单晶炉技术领域,为解决现有的单晶炉保温性能不够完善,使用起来不够方便的问题。所述单晶炉壳体的下方安装有安装架,所述单晶炉壳体下端的一侧设置有排气口,所述排气口的前端安装有调节阀,所述单晶炉壳体下端的中间位置处安装有电机,所述单晶炉壳体前端的上端安装有可视玻璃窗,所述单晶炉壳体的上端安装有法兰密封下连接盖,所述法兰密封下连接盖的上端安装有法兰密封上连接盖,所述法兰密封上连接盖上方的一侧设置有真空抽气口。

基本信息
专利标题 :
一种半导体生产单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020274688.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-09
授权号 :
CN211814712U
授权日 :
2020-10-30
发明人 :
梁尚红
申请人 :
无锡同茂电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号瑞云4座309
代理机构 :
南京禾易知识产权代理有限公司
代理人 :
师自春
优先权 :
CN202020274688.3
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-10-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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