半导体叠层微型组件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
即便是在多层结构的半导体叠层微型组件中，通过抑制从半导体元件的发热来抑制叠层衬底的发热。本发明的半导体叠层微型组件(1)，是搭载了半导体元件(2)的第1树脂衬底(3)和薄膜部件(5)交替叠层的半导体叠层微型组件，包括设置在上述薄膜部件(5)中最上层之上的，比第1树脂衬底(3)及薄膜部件(5)放热性高的刚性板(8)，和贯通第1树脂衬底(3)及薄膜部件(5)，与刚性板(8)接触贯通式埋入的第3埋入导体(14)。由此，可以将半导体元件(2)的发热，通过第3埋入导体(14)和刚性板(8)发散到外部。
基本信息
专利标题 ：
半导体叠层微型组件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1787212A
申请号 ：
CN200510124897.X
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石川敬人佐藤元昭福田敏行川端毅品川雅俊
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510124897.X
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L23/36 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
