消除半导体层制造缺陷的方法
专利权的视为放弃
摘要
本发明介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行填充。借助这种结构。即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。
基本信息
专利标题 ：
消除半导体层制造缺陷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87102718A
申请号 ：
CN87102718.6
公开（公告）日 ：
1987-10-28
申请日 ：
1987-04-08
授权号 ：
CN87102718B
授权日 ：
1988-08-31
发明人 ：
山崎舜平铃木邦夫金花美树雄深田武阿部雅芳小林一平柴田克彦薄田真人永山进小柳薰
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN87102718.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2002-08-28 ：
专利权的视为放弃
2002-03-20 ：
其他有关事项
1989-06-28 ：
授权
1988-08-31 ：
审定
1987-11-11 ：
实质审查请求
1987-10-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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