一种半导体制造方法，其包含如下步骤：(a)在半导体晶片中，分别形成芯片内半导体器件结构和多个对准标记；(b)在该半导体晶片上形成工件层；(c)暴露所述对准标记；(d)在该工件层上涂覆电子束抗蚀膜；(e)利用电子束扫描对准标记，从而获得关于对准标记的多个位置信息，并且获得多个位置信息间的差值；(f)依照该多个位置信息间的差值去除位置信息中的异常值；以及(g)依照对准标记的已去除异常值的多个位置信息，实施电子束曝光。在电子束曝光中能够提高对准标记检测精度。