本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：半导体主体，包括衬底、埋层以及外延层，衬底具有第一掺杂类型，埋层具有第二掺杂类型；第一沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第二沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第三沟槽，从外延层的顶表面延伸到埋层中或者外延层中靠近埋层的位置处；第一深沟槽结构，设置在第一沟槽中以将衬底电连接至外延层的顶表面；第二深沟槽隔离结构，设置在第二沟槽中以隔离外延层中的不同器件区域；第三深沟槽隔离结构，设置在第三沟槽中以隔离外延层中的不同器件区域；以及第一掺杂区，靠近第三沟槽的侧壁形成在外延层中并且具有第二掺杂类型，第一掺杂区从外延层的顶表面延伸到埋层以将埋层电连接至外延层的顶表面。