公开了一种半导体器件及其制造方法，其在淀积垂直氧化层结构后还刻蚀将垂直氧化层结构的上表面降低至半导体衬底的上表面之下，然后根据局部硅氧化隔离工艺在半导体衬底和垂直氧化层结构上氧化获得水平氧化层结构。本发明的半导体器件及其制造方法在氧化获得水平氧化层结构之前将垂直氧化层结构的上表面刻蚀至半导体衬底的上表面之下，使其对应的凹槽的顶部边缘的尖角结构，在氧化时可由其侧面和上表面同时氧化，进而将该尖角结构圆滑化，获得圆滑的水平氧化层结构和垂直氧化层结构的交界结构，保障获得的水平氧化层的厚度，保障水平氧化层结构的击穿保护性能，提高半导体器件的性能。